RSS订阅 保存到桌面加入收藏设为首页
大刚资源网
当前位置:首页 > 玩机专区

进军2nm 小日本也要拼先进半导体工艺,争抢的制高点

2021-03-09 00:05:02   大刚资源网   大刚资源网   583   0
    目前量产的最先进工艺是台积电、三星的5nm,明年有望量产3nm工艺,再往后的2nm工艺需要全新的技术,制造难度更高,是大国争抢的制高点之一。

    在先进工艺上,目前台积电、三星及Intel等几家实力强大,小日本公司主要是在光刻胶、硅片等材料有较大优势,但小日本也没有放弃先进工艺上的努力。

    据小日本媒体报道,小日本产业技术综合研究所与中国台湾半导体研究中心(TSRI)等展开合作,开发了用于新一代半导体的新型晶体管结构。
进军2nm_小日本也要拼先进半导体工艺,争抢的制高点
    相比其他技术,该技术将硅(Si)和锗(Ge)等不同沟道材料从上下方堆叠、使“n型”和“p型”场效应晶体管靠近的名为“CFET”的结构。

    报道称,与此前的晶体管相比,CFET结构的晶体管性能高、面积小,有助于制造2nm以下线宽的新一代半导体。

    据悉,这一研究成果发表于2020年12月在线上举行的半导体相关国际会议“IEDM2020”。该项新技术有望在今后约3年里对民营企业进行转让,正式开始商用。

标签:先进  日本  工艺  也要  进军  
相关评论